Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова придумали флеш-память на основе графена, сообщает издание СО РАН "Наука в Сибири". Флеш-память действует по принципу впрыскивания электрического разряда в мультиграфен, который является запоминающей средой.
Как говорится в сообщении, такая флеш-память по быстродействию и времени хранения информации превосходит аналоги, основанные на других материалах. Мультиграфен способен также дольше хранить заряд, а значит, и информацию, записанную на устройстве. В отличие от кремниевой флеш-карты графеновая способна работать в два-три раза быстрее.
Пока флеш-карта проходит различные исследования и не готова для массового производства. По предварительным подсчетам для производства подобных флеш-карт необходимо строительство современного завода стоимостью 5 млрд долларов, сообщил научный сотрудник института Юрий Новиков.
